• Nexperia N沟道MOSFET低VCEsat(BISS)PNP晶體(tǐ)管组合

    具(jù)备组合优势的二合一解决方案

您的设计能(néng)否受益于MOSFET双极性晶體(tǐ)管组合?这些器件将PNP突破性小(xiǎo)信号(BISS)晶體(tǐ)管与N沟道MOSFET相结合,提供大量性能(néng)和设计优势,包括效率高、元件数少以及节省成本和電(diàn)路板空间。

  • 效率高
  • 元件数少
  • 节省成本和電(diàn)路板空间

典型应用(yòng)

  • 负荷开关
  • 電(diàn)池驱动装(zhuāng)置
  • 電(diàn)源管理(lǐ)
  • 充電(diàn)電(diàn)路
  • 電(diàn)源开关(如電(diàn)机、风扇)
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Type numberPackage versionPackage nameProduct statusVCEO [max] (V)IC [max] (A)hFE [min]hFE [max]RCEsat [typ] (mΩ)
PBSM5240PF SOT1118DFN2020-6Production-40-1.8300800240
PBSM5240PFH SOT1118DFN2020-6Production-40-1.8100 240
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