Type number | Package version | Package name | Product status | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | hFE [min] | hFE [max] | RCEsat [typ] (mΩ) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PBSM5240PF | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 300 | 800 | 240 |
PBSM5240PFH | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 100 | 240 |
您的设计能(néng)否受益于MOSFET双极性晶體(tǐ)管组合?这些器件将PNP突破性小(xiǎo)信号(BISS)晶體(tǐ)管与N沟道MOSFET相结合,提供大量性能(néng)和设计优势,包括效率高、元件数少以及节省成本和電(diàn)路板空间。
Type number | Package version | Package name | Product status | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | hFE [min] | hFE [max] | RCEsat [typ] (mΩ) |
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PBSM5240PF | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 300 | 800 | 240 |
PBSM5240PFH | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 100 | 240 |