• Nexperia 氮化镓场效应晶體(tǐ)管(GaN FET)

    為(wèi)钛金级電(diàn)源提供了出色的解决方案

当今的工(gōng)业電(diàn)源、逆变器和转换器以及汽車(chē)牵引逆变器、車(chē)载充電(diàn)器和转换器,不仅要求高功率性能(néng),而且还要求精(jīng)细的控制和效率,而这只有(yǒu)适合高频开关的氮化镓技(jì )术才能(néng)提供。
安(ān)世半导體(tǐ)公(gōng)司650V的硅基氮化镓(GaN-on-Si)场效应晶體(tǐ)管(整个输出功率范围内的效率>90 %)為(wèi)钛金级電(diàn)源提供了出色的解决方案,同时通过AEC-Q101标准的测试,适合汽車(chē)级应用(yòng)。坚固耐用(yòng)的TO-247封装(zhuāng)确保在整个工(gōng)作(zuò)電(diàn)流和环境温度范围内实现出众的热性能(néng)。常态关断的的氮化镓场效应晶體(tǐ)管产(chǎn)品的设计和结构,允许使用(yòng)低成本的标准栅极驱动器。
无论是為(wèi)下一代新(xīn)能(néng)源電(diàn)动車(chē)设计的電(diàn)机驱动/控制器,还是為(wèi)最新(xīn)5G電(diàn)信网络设计的電(diàn)源,安(ān)世半导體(tǐ)的氮化镓场效应晶體(tǐ)管产(chǎn)品组合将是您解决方案的关键。

  • 通过AEC-Q101标准的测试;
  • 整个输出功率范围内的效率>90%;
  • 增加功率密度。
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ProductPackageVDS (V)VthS (V)RDS(on)【Max】 (mΩ)AEC-Q101
Qualified
SamplesProduct Status
GaN063-650WSA TO-247(SOT429)650V80060YESNowRFS
GaN041-650WSATO-247(SOT429)650V80041YESNowDEV
GaN060-900WSATO-247(SOT429)900100063YESQ3.2020DEV
GaN03x-650LBBCCPAK88(SMD)65080039NONowDEV
GaN03x-650LTBCCPAK88(SMD)65080039NONowDEV
GaN03x-650NBBCCPAK1212(SMD)65080039YESQ3.2020DEV
GaN03x-650NTBCCPAK1212(SMD)65080039YESQ3.2020DEV
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